[发明专利]一种基于晶面选择的应变BiCMOS集成器件及制备方法

摘要

本发明公开了基于晶面选择的应变BiCMOS集成器件及制备方法，制备SOI衬底，下层基体材料为（110）晶面，上层基体材料为（100）晶面；在衬底表面连续生长N-Si/P-SiGe/N-Si层，淀积介质层，制备集电区、基区和发射区，形成集电极、基极和发射极接触区，形成SiGe HBT器件，制备深槽隔离；NMOS器件区域刻蚀出深槽，选择性生长晶面为（100）的NMOS器件有源区，制备应变Si沟道NMOS器件；在PMOS器件区域，选择性生长晶面为（110）的Si外延层，该层上制备压应变Si沟道PMOS器件；构成基于晶面选择的应变BiCMOS集成器件及电路。本发明充分利用张应变Si材料电子迁移率高于体Si材料和压应变Si材料空穴迁移率高于体Si材料以及迁移率各向异性的特点，制备出了性能增强的基于晶面选择的应变BiCMOS集成电路。

主权项

一种基于晶面选择的应变BiCMOS集成器件，其特征在于，NMOS器件和PMOS器件均为应变Si MOS器件，双极器件为SiGe HBT。