[发明专利]一种三多晶混合晶面应变BiCMOS集成器件及制备方法

摘要

本发明公开了一种三多晶混合晶面应变BiCMOS集成器件及制备方法，包括：在制备双晶面的SOI衬底与深槽隔离之后，在双极器件区域刻蚀深槽，在双极器件有源区连续生长制备SiGe HBT器件的集电区、基区和发射区，并形成多晶Si电极；在NMOS器件区域刻蚀出深槽，选择性生长晶面为（100）的应变Si外延层，在该区域制备应变Si沟道NMOS器件；在PMOS器件有源区，选择性生长晶面为（110）的应变SiGe外延层，在该区域制备PMOS器件等；本发明在SiGe HBT器件的制备过程中采用了自对准工艺，BiCMOS器件为全平面结构，充分了利用张应变Si材料电子迁移率高于体Si材料和压应变SiGe材料空穴迁移率高于体Si材料特点及晶面对迁移率的影响，制备出了性能增强的三多晶、混合晶面应变BiCMOS集成器件及电路。

主权项

一种三多晶混合晶面应变BiCMOS集成器件，其特征在于，NMOS器件为应变Si平面沟道，PMOS器件为应变SiGe平面沟道，双极器件为SiGe HBT器件。