[发明专利]用于SRAM单元的装置有效
| 申请号： | 201210244358.X | 申请日： | 2012-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN103377685B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 廖忠志 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C5/12 | 分类号： | G11C5/12;G11C5/06;G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于SRAM单元的装置。其中，一种存储单元，包括第一字线，形成在第一互连层中；第一VSS线、第一位线、电源线、第二位线和第二VSS线，形成在第二互连层中；第二字线，形成在第三互连层中。存储单元进一步包括字线跨接结构，形成在电源线和第二位线之间，其中，字线跨接结构连接第一字线和第二字线。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 sram 单元 装置 | ||
【主权项】：
一种存储装置，包括：第一字线，形成在第一互连层中并且由金属形成，所述第一字线在第一方向上延伸；第一VSS线、第一位线、第一电源线、第二位线和第二VSS线，形成在第二互连层中，所述第一VSS线、所述第一位线、所述第一电源线、所述第二位线和所述第二VSS线在第二方向上平行延伸；第二字线，形成在第三互连层中，所述第二字线在所述第一方向上延伸；以及字线跨接结构，形成在所述电源线和所述第二位线之间，所述字线跨接结构包括：第一通孔，形成在所述第一字线上；金属线，形成在所述第二互连层中，所述金属线在所述第二方向上延伸；和第二通孔，形成在所述金属线上，所述第一通孔、所述金属线和所述第二通孔在所述第一字线和所述第二字线之间形成导电路径。
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