[发明专利]一种应变SiGe HBT垂直沟道BiCMOS集成器件及制备方法

摘要

本发明公开了一种应变SiGe HBT垂直沟道BiCMOS集成器件及制备方法，首先在Si衬底片上制备埋层，生长N-Si作为双极器件集电区，光刻基区，在基区区域生长P-SiGe、i-Si、i-Poly-Si，制备深槽隔离，形成发射极、基极和集电极，形成SiGe HBT器件；在衬底NMOS器件和PMOS器件有源区上分别生长N型Si外延层、N型应变SiGe层、P型应变SiGe层、N型应变SiGe层、N型Si层等，在NMOS器件有源区制备漏极、栅极和源区，完成NMOS器件制备；在PMOS器件有源区制备虚栅极，形成PMOS器件源、漏；刻蚀虚栅，完成PMOS器件制备，形成BiCMOS集成器件及电路；本发明充分利用应变SiGe材料在垂直方向电子迁移率和水平方向空穴迁移率高于弛豫Si的特点，在低温工艺下，制造出性能增强的应变SiGeHBT、垂直沟道BiCMOS集成电路。

主权项

一种应变SiGe HBT垂直沟道BiCMOS集成器件，其特征在于，所述双应变平面BiCMOS集成器件采用应变SiGe垂直沟道NMOS器件、应变SiGe平面沟道PMOS器件以及双多晶SiGe HBT器件。