[发明专利]一种混合晶面应变Si垂直沟道BiCMOS集成器件及制备方法

摘要

本发明公开了一种混合晶面应变Si垂直沟道BiCMOS集成器件及制备方法。其过程为：制备一片SOI衬底，上层基体材料为（100）晶面，下层基体材料为（110）晶面；在衬底片上生长N型Si外延，制备深槽隔离，在双极器件区域制造常规的Si双极晶体管；在PMOS器件有源区刻蚀出深槽，选择性生长应变Si PMOS器件有源层，在该有源层上制备垂直沟道的压应变PMOS器件；在NMOS器件有源区刻蚀出深槽，选择性生长应变Si NMOS器件有源层，在该外延层上制备平面沟道的张应变NMOS器件。本发明充分利用应变Si材料迁移率高于体Si材料和应变Si材料应力与迁移率各向异性的特点，基于SOI衬底，制备出了性能优异的混合晶面应变Si垂直沟道BiCMOS集成器件及电路。

主权项

一种混合晶面应变Si垂直沟道BiCMOS集成器件，其特征在于，所述BiCMOS集成器件中NMOS器件为应变Si平面沟道，PMOS器件为应变Si垂直沟道，双极器件采用普通Si双极晶体管。