[发明专利]互连止裂器结构及方法有效
| 申请号： | 201210244569.3 | 申请日： | 2012-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN103247587B | 公开（公告）日： | 2018-06-15 |
| 发明（设计）人： | 余振华;史达元 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了用于阻止裂纹的系统和方法。一种实施例包括将止裂器置入半导体管芯和衬底之间的连接件。止裂器可以为空心或者实心圆柱形并且可被放置成便于阻止穿过止裂器的任何裂纹扩展。本发明还公开了互连止裂器结构及方法。 1 | ||
| 搜索关键词： | 止裂器 互连 半导体管芯 实心圆柱形 裂纹扩展 连接件 衬底 置入 穿过 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：
在第一半导体衬底上的导电区域；以及
在所述导电区域上的第一止裂器，所述第一止裂器包括引线接合到所述第一半导体衬底上的所述导电区域的引线，所述第一止裂器从所述导电区域延伸并延伸入导电材料中，所述第一止裂器放置且成形为拦截并且制止源自所述导电材料边缘的任何裂纹并且阻止裂纹进一步扩展至所述导电材料的内部；
其中，所述导电区域是凸块下金属层，所以引线以球形或者楔形接合到所述凸块下金属层，并且垂直于所述凸块下金属层的引线的长度切割至100μm和300μm之间的长度；
支撑衬底，具有形成在其上的接触焊盘和焊料掩模，其中，所述焊料掩模有助于形成导电材料。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一止裂器进一步包括引线接合到所述第一半导体衬底上的所述导电区域的多根引线。3.如权利要求2所述的半导体器件，其中所述多根引线具有小于200μm的第一高度。4.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述引线包括圆柱形。
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