[发明专利]一种基于晶面选择的三多晶平面BiCMOS集成器件及制备方法

摘要

本发明公开了基于晶面选择的三多晶平面BiCMOS集成器件及制备方法，其过程为：制备SOI衬底；生长N型Si外延，制备深槽隔离，形成集电极接触区，形成氮化物侧墙，刻蚀出基区窗口，生长SiGe基区，光刻集电极窗口，淀积N型Poly-Si，制备发射极和集电极形成HBT器件；NMOS器件区刻蚀深槽，选择性生长晶面为（100）的应变Si外延层，制备应变Si沟道NMOS器件；在PMOS器件有源区，选择性生长晶面为（110）的应变SiGe外延层，制备压应变SiGe沟道PMOS器件；构成基于晶面选择的三多晶平面BiCMOS集成器件及电路；本发明充分利用张应变Si材料电子迁移率高于体Si材料和压应变SiGe材料电子迁移率高于体Si材料以及迁移率各向异性的特点，基于SOI衬底，制备出了性能增强的平面BiCMOS集成电路。

主权项

一种基于晶面选择的三多晶平面BiCMOS集成器件，其特征在于，NMOS器件为应变Si平面沟道器件，PMOS器件为应变SiGe平面沟道器件，双极晶体管为SOI SiGe HBT。