[发明专利]一种半导体器件中接触区引线工艺保护对准标记的方法有效
| 申请号： | 201210244717.1 | 申请日： | 2012-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN102800566A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 陈刚;李理;王泉慧;柏松 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L23/544;G03F9/00 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人： | 沈根水;周晓梅 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明是一种半导体器件中接触区引线工艺保护对准标记的方法，其工艺包括：一、正常进行半导体器件的部分正面工艺；二、使用酸性溶液清洗经过部分工艺的半导体材料；三、在半导体材料上的对准标记区域形成一层耐刻蚀金属膜；四、采用干法刻蚀方法处理半导体材料表面及耐刻蚀金属膜；五、进行钝化介质生长；六、过刻蚀钝化介质及对准标记区域；七、使用酸性溶液处理经过过刻蚀工艺的半导体材料及耐刻蚀金属膜；八、进行去胶；九、进行光刻工艺。优点：解决了对准标记损坏而不能被光刻系统识别或者由于对准标记分辨率太低导致光刻精度降低的问题；保持了良好的表面形貌，保证了半导体器件的光刻工艺精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 接触 引线 工艺 保护 对准 标记 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件中接触区引线工艺保护对准标记的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：一、正常进行半导体器件的部分正面工艺；二、使用酸性溶液清洗经过部分工艺的半导体材料；三、在半导体材料上的对准标记区域形成一层耐刻蚀金属膜；四、采用干法刻蚀方法处理半导体材料表面及耐刻蚀金属膜；五、在半导体材料表面进行钝化介质生长；六、接触区引线工艺干法过刻蚀钝化介质及对准标记区域；七、使用酸性溶液处理经过过刻蚀工艺的半导体材料及耐刻蚀金属膜；八、采用湿法及干法刻蚀方法进行去胶；九、采用保护完好的对准标记继续进行光刻工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
