[发明专利]半导体装置用粘接膜及切割带一体型半导体背面用膜有效
| 申请号： | 201210245045.6 | 申请日： | 2012-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN102876245A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 志贺豪士;高本尚英;浅井文辉 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | C09J7/00 | 分类号： | C09J7/00;C09J7/02;C09J163/00;C09J11/06;H01L21/683;H01L23/29 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体装置用粘接膜及切割带一体型半导体背面用膜。本发明提供了一种半导体装置用粘接膜，其即使在长期间保存之后也能具有与制造时同样的物性。该半导体装置用粘接膜含有热固化性树脂，对于所述半导体装置用粘接膜的用差示扫描量热仪测定的反应放热峰温度±80℃温度范围内的反应放热量而言，在25℃的条件下保存4周之后的反应放热量相对于保存前的反应放热量为0.8~1倍的范围。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 用粘接膜 切割 体型 背面 | ||
【主权项】：
一种半导体装置用粘接膜，其特征在于，其含有热固化性树脂，对于所述半导体装置用粘接膜的用差示扫描量热仪测定的反应放热峰温度±80℃温度范围内的反应放热量而言，在25℃的条件下保存4周之后的反应放热量相对于保存前的反应放热量为0.8~1倍的范围。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日东电工株式会社，未经日东电工株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210245045.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种环保型阻垢剂
- 下一篇：用于在原位检测涡轮机组部件的设备
