[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210245070.4 | 申请日： | 2012-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN103227101A | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 涂国基 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/92 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 公开了半导体器件及其制造方法。在一个实施例中，制造半导体器件的方法包括：在工件的沟槽内形成电容器，电容器包括底部电极、设置在底部电极上方的介电层和设置在介电层上方的顶部电极。保护层形成在电容器的上方。形成电容器和形成保护层包括：优化沟槽的宽度、底部电极的厚度、介电层的厚度、顶部电极的厚度和保护层的厚度中的至少一个，使得保护层完全覆盖顶部电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在工件中的沟槽内形成电容器，所述电容器包括：底部电极；介电层，设置在所述底部电极上方；和顶部电极，设置在所述介电层上方；以及在所述电容器的上方形成保护层，其中，形成所述电容器和形成所述保护层包括优化所述沟槽的宽度、所述底部电极的厚度、所述介电层的厚度、所述顶部电极的厚度和所述保护层的厚度中的至少一个，使得所述保护层完全覆盖所述顶部电极，其中，优化包括使用等式1或等式2：等式1：w＜2×（a+b+c）；或等式2：w＞2×（a+b+c+d）；其中，w是所述沟槽的宽度，a是所述底部电极的厚度，b是所述介电层的厚度，c是所述顶部电极的厚度，以及d是所述保护层的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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