[发明专利]差压双离子阱质量分析仪及其使用方法有效
| 申请号： | 201210245627.4 | 申请日： | 2007-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN102779716A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 杰·C·施瓦兹;约翰·E·P·西卡;斯科特·T·夸姆比 | 申请（专利权）人： | 塞莫费尼根股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J49/04 | 分类号： | H01J49/04;H01J49/42 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 张春媛;阎娬斌 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种双离子阱质量分析仪包括相邻放置且分别保持较高和较低压力的第一和第二二维离子阱。可以在第一阱中执行倾向高压的功能(冷却和碎裂)，在第二阱中执行倾向低压的功能(分离和分析扫描)。可以在第一和第二阱之间通过具有小孔的平板透镜传输离子，其中该小孔提供了泵的限制，并允许在两个阱中保持不同的压力。该双离子阱质量分析仪的差压环境有助于在不牺牲离子捕获和碎裂效率的情况下，使用高分辨率的分析扫描模式。 | ||
| 搜索关键词： | 差压双 离子 质量 分析 及其 使用方法 | ||
【主权项】：
一种质谱仪，包括：用于从分析物中产生离子的离子源；用于向双阱质量分析仪中传输离子的离子光学装置，所述双阱质量分析仪包括：第一二维四极离子阱，其具有内部区域，该内部区域在质谱仪运行期间保持在第一压力，所述第一离子阱构造成接收、约束和冷却离子；与所述第一离子阱相邻放置且具有内部区域的第二二维四极离子阱，该内部区域在质谱仪运行期间保持在基本低于第一压力的第二压力，所述第二离子阱构造成接收和约束从第一二维离子阱传输的离子，并按照质量顺序地将离子发射至检测器以产生质谱；以及至少一个放置在第一和第二离子阱之间，并构造成控制在其之间传输离子的离子光学元件。
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