[发明专利]使用微波进行的U-MOS沟槽型面优化和蚀刻损伤移除无效
| 申请号： | 201210246418.1 | 申请日： | 2012-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN103000503A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·J·珀特尔 | 申请（专利权）人： | 飞兆半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 刘国伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本申请案涉及使用微波进行的U-MOS沟槽型面优化和蚀刻损伤移除。本发明描述半导体装置和用于制作这些装置的方法。UMOS(U形MOSFET)半导体装置可通过如下方式形成：提供半导体衬底；使用湿式或干式蚀刻过程在所述衬底中形成沟槽；以及随后在低温下使用微波MW辐射所述沟槽结构。MW辐射过程改善了所述沟槽的型面且修复由所述干式蚀刻过程引起的对所述沟槽结构的损伤。所述微波辐射可有助于使所述半导体衬底中的Si或SiGe原子重新对准，且对在所述干式蚀刻过程之后存在的缺陷进行退火消除。而且，所述微波辐射可吸收在所述干式蚀刻过程中使用的保留在所述沟槽结构的晶格中的原子或离子。还描述其它实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 微波 进行 mos 沟槽 优化 蚀刻 损伤 | ||
【主权项】：
一种用于在半导体衬底中制作沟槽的方法，其包括：提供半导体衬底；使用湿式或干式蚀刻过程在所述衬底中形成沟槽；以及在低温下使用微波辐射所述沟槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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