[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201210246436.X | 申请日： | 2012-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN103545366A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 秦长亮;洪培真;殷华湘 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件，包括衬底、衬底上的栅极堆叠结构、栅极堆叠结构周围的栅极侧墙、栅极侧墙两侧衬底中的应力源漏区、应力源漏区之间的沟道区，其特征在于：应力源漏区靠近沟道区的侧壁为C型。依照本发明的半导体器件及其制造方法，通过刻蚀C型源漏凹槽并且在其中外延生长应力源漏区，有效增大了沟道区应力并且精确控制了源漏凹槽深度、减小了缺陷，提高了器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括衬底、衬底上的栅极堆叠结构、栅极堆叠结构周围的栅极侧墙、栅极侧墙两侧衬底中的应力源漏区、应力源漏区之间的沟道区，其特征在于：应力源漏区靠近沟道区的侧壁为C型。
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