[发明专利]一种LED器件的硅基板与铜微热管集成制造方法

摘要

本发明公开了一种LED器件的硅基板与铜微热管集成制造方法，用于LED器件散热。其特征是在硅基板的背面溅射厚度在50-300nm范围内的铜种子层，在铜种子层上涂覆100-900μm厚光刻胶，光刻后获得电铸形模，电铸铜直到需要的厚度，去光刻胶，在硅基板上获得铜微结构，切割纯铜板，获得与硅片同样大小的另一片纯铜片，并采用机械加工方法获得工质灌注孔，将此纯铜片与带有铜微通道的硅基板键合，灌注工质，获得集成铜微热管的硅基板。该方法在铜微热管与硅基板之间没有界面，因此没有热阻较大的界面热阻，器件的整体热阻小，同时传热稳定，提高了器件的可靠性和寿命。

主权项

一种LED器件的硅基板与铜微热管集成制造方法，应用于LED器件的散热，其特征在于该方法的步骤如下：a)在硅基板的背面溅射铜种子层，铜种子层厚度在50‑300nm范围内；b)在铜种子层上涂覆光刻胶，光刻胶是正胶或负胶，光刻胶的厚度在100‑900μm范围内，光刻后获得电铸形模，电铸铜直到需要的厚度，电铸厚度小于或者等于胶厚，去光刻胶，在硅基板上获得铜微结构；c)切割纯铜板，获得与硅片同样大小的另一片纯铜片，该纯铜片的厚度通常为0.5‑2mm，并采用机械加工方法获得工质灌注孔，孔径为0.5‑2.5mm；将此纯铜片与带有铜微通道的硅基板键合，灌注工质，获得集成铜微热管的硅基板。