[发明专利]DMOS半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201210246922.1 | 申请日： | 2012-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN103545214A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 王者伟;陈雪磊;高留春;刘斌斌 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 方世栋;王忠忠 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出了用于制造DMOS半导体器件的方法。其中，所述方法包括下列步骤：（A1）在半导体晶圆上形成RING环；（A2）在已形成所述RING环的所述半导体晶圆上形成多晶层；（A3）在已形成所述多晶层的所述半导体晶圆上形成源极；（A4）对已形成所述源极的所述半导体晶圆执行后续的操作以形成DMOS器件。本发明所公开的用于制造DMOS半导体器件的方法可以优化制造工艺，从而显著地降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | dmos 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造DMOS半导体器件的方法，所述用于制造DMOS半导体器件的方法包括下列步骤：（A1）在半导体晶圆上形成RING环；（A2）在已形成所述RING环的所述半导体晶圆上形成多晶层；（A3）在已形成所述多晶层的所述半导体晶圆上形成源极；（A4）对已形成所述源极的所述半导体晶圆执行后续的操作以形成DMOS器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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