[发明专利]一种ZnO同质pn结及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201210248191.4 申请日: 2012-07-18
公开(公告)号: CN102751318A 公开(公告)日: 2012-10-24
发明(设计)人: 苏海林;梁金坤;吴玉程;黄荣俊 申请(专利权)人: 合肥工业大学
主分类号: H01L29/22 分类号: H01L29/22;H01L21/36
代理公司: 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 代理人: 何梅生
地址: 230009 *** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种ZnO同质pn结及其制备方法,其中ZnO同质pn结是由p型Sb掺杂ZnO纳米棒阵列与n型Al掺杂ZnO薄膜组成。所述p型Sb掺杂ZnO纳米棒中Sb的掺杂浓度为0.9-8.3at.%,所述n型Al掺杂ZnO薄膜中Al的掺杂浓度为3at.%。本发明采用离子束溅射结合电化学沉积的方法制备ZnO同质pn结,这是首次采用电化学沉积技术制备Sb掺杂ZnO纳米棒并将其作为ZnO同质结的p区,丰富了ZnO同质结的组成结构,简化了ZnO同质结的制备方法,大幅降低了制备成本。
搜索关键词: 一种 zno 同质 pn 及其 制备 方法
【主权项】:
一种ZnO同质pn结,其特征在于:由p型Sb掺杂ZnO纳米棒阵列与n型Al掺杂ZnO薄膜组成。
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