[发明专利]一种检测硫酸氢根离子的荧光传感器及其制备方法和应用无效

专利信息
申请号: 201210248428.9 申请日: 2012-07-18
公开(公告)号: CN102746452A 公开(公告)日: 2012-10-24
发明(设计)人: 路伟;柳蓓蓓;杜柑宏;江黎明 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: C08F220/28 分类号: C08F220/28;C08F220/54;C08F220/14;C08F212/14;C08F4/04;G01N21/64;C09K11/06
代理公司: 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 代理人: 胡红娟
地址: 310027 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种检测硫酸氢根离子的荧光传感器的制备方法,包括如下步骤:(1)将引发剂偶氮二异丁腈、第一组分和第二组分溶解于无水乙醇中升温反应,反应结束后,取沉淀经干燥得到共聚物;所述第一组分为单体M1,所述第二组分为单体M2a,或者所述第二组分为单体M2b和单体M3;(2)将所得共聚物配制成共聚物溶液后成膜,得到荧光传感器。本发明还公开了一种荧光传感器及其在检测硫酸氢根离子中的应用。利用本发明公开的荧光传感器,可以避免多种阴离子的干扰,方便、快速、高选择性检测水溶液中的硫酸氢根离子。
搜索关键词: 一种 检测 硫酸 离子 荧光 传感器 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
1.一种检测硫酸氢根离子的荧光传感器的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)将引发剂偶氮二异丁腈、第一组分和第二组分溶解于无水乙醇中升温反应,反应结束后,取沉淀经干燥得到共聚物;所述第一组分为单体M1,所述第二组分为单体M2a,或者所述第二组分为单体M2b和单体M3;其中,单体M1、单体M2a、单体M2b和单体M3的结构式分别为:(2)将所得共聚物配制成共聚物溶液后成膜,得到荧光传感器。
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