[发明专利]类单晶硅太阳能电池用叠层减反射膜无效
| 申请号： | 201210248583.0 | 申请日： | 2012-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN102723378A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 杨骞;全余生;龚双龙;王金伟;崔梅兰 | 申请（专利权）人： | 东方电气集团（宜兴）迈吉太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216 |
| 代理公司： | 南京天华专利代理有限责任公司 32218 | 代理人： | 夏平 |
| 地址： | 214203 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种类单晶硅太阳能电池用叠层减反射膜，在太阳能电池类单晶硅片（3）的前表面，从内至外依次设有ZnO空心球薄膜（2）和氮化硅薄膜（1）；ZnO薄膜（2）的厚度为15~20nm；氮化硅薄膜（1）的厚度为30~40nm。本发明所用的ZnO空心球薄膜折射率为2.03，氮化硅薄膜的折射率为1.4~1.7，这种叠层膜与单层膜相比具有更好的光学匹配特性，不仅对在硅的主光谱响应的550nm的光有优异的减反射效果，而且对波长在300~1200nm范围内的光都有很好的件反射和吸收效果，从而提高类单晶硅太阳能电池的转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 太阳能电池 用叠层 减反射膜 | ||
【主权项】：
一种类单晶硅太阳能电池用叠层减反射膜，其特征是该叠层减反射膜设置在太阳能电池单晶硅基体（3）的前表面，从内至外依次为ZnO空心球薄膜（2）和氮化硅薄膜（1）。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
