[发明专利]大面积接触式等离子体放电加工熔石英加工装置

摘要

大面积接触式等离子体放电加工熔石英加工装置，它涉及一种等离子体加工装置，以解决现有等离子体加工过程中的电极温度高，加工时间短，导致反应离子的活性相对较低，去除率低的问题。导风板的上端面与端部工件夹板的上端面在同一水平面内，成型电极设置在工件槽的上方，成型电极的下端面与工件槽的上端面设有两电极之间放电间距，上导流体与下导流体之间的腔体为导气腔，上导流体和下导流体的进气端端面上均设有进气孔，两个进气孔与气体混气箱连通，氦气气瓶、四氟化碳气瓶和氧气瓶分别通过氦气流量计、四氟化碳流量计和氧气流量计与气体混气箱连接，水泵与下冷却通道和上冷却通道连接，射频电源与高电极和底座板连接。本发明用于等离子体加工。

主权项

一种大面积接触式等离子体放电加工熔石英加工装置，其特征在于：所述装置包括射频电源(1)、高电极(3)、成型电极(4)、上导流体(5)、下导流体(6)、地电极(7)、导风板(8)、端部工件夹板(9)、气体混气箱(10)、氦气气瓶(11)、四氟化碳气瓶(12)、氧气瓶(13)、氦气流量计(14)、四氟化碳流量计(15)、氧气流量计(16)、水泵(17)、销(22)、两个上箱盖(2)、两个侧板(18)和两个导气管(25)，地电极(7)由上端板(7‑1)和底座板(7‑2)组成，上端板(7‑1)沿底座板(7‑2)的纵向中心线设置在底座板(7‑2)上，且上端板(7‑1)与底座板(7‑2)制成一体，底座板(7‑2)端面且位于上端板(7‑1)的纵向两侧为侧板安装处(7‑3)，底座板(7‑2)端面且位于上端板(7‑1)的出气端一侧为出气道(7‑4)，底座板(7‑2)端面且位于上端板(7‑1)的进气端一侧为进气道(7‑5)，端部工件夹板(9)设置在上端板(7‑1)上端面的出气端一侧，导风板(8)设置在上端板(7‑1)的进气端端面处，导风板(8)的上端面与端部工件夹板(9)的上端面在同一水平面内，导风板(8)与端部工件夹板(9)之间为工件槽(21)，导风板(8)朝向进气道(7‑5)一侧设有第一导气斜面(8‑1)，第一导气斜面(8‑1)由进气端至出气端倾斜向上，下导流体(6)设置在进气道(7‑5)处，每个侧板安装处(7‑3)设置一个侧板(18)，成型电极(4)设置在工件槽(21)的上方，成型电极(4)的下端面与工件槽(21)的上端面设有两电极之间放电间距(h)，高电极(3)设置在成型电极(4)的上端面上，且高电极(3)与成型电极(4)通过销(22)连接，高电极(3)设置在两个上箱盖(2)内，两个上箱盖(2)以销(22)的轴线对称设置，且一个上箱盖(2)位于导风板(8)的上方，另一个上箱盖(2)位于出气道(7‑4)的上方，导风板(8)上方的上箱盖(2)上以两电极之间放电间距(h)的水平中心线为基准对称设有第二导气斜面(2‑1)，上导流体(5)与下导流体(6)扣合设置，上导流体(5)与下导流体(6)之间的腔体为导气腔(20)，上导流体(5)的出气端端面与上箱盖(2)连接，下导流体(6)的出气端端面与导风板(8)连接，上导流体(5)和下导流体(6)的进气端端面上均设有进气孔(24)，两个进气孔(24)分别通过导气管(25)与气体混气箱(10)连通，氦气气瓶(11)、四氟化碳气瓶(12)和氧气瓶(13)分别与其对应的氦气流量计(14)、四氟化碳流量计(15)和氧气流量计(16)连接，氦气流量计(14)、四氟化碳流量计(15)和氧气流量计(16)均与气体混气箱(10)连接，上端板(7‑1)内设有下冷却通道(7‑1‑1)，高电极(3)内设有上冷却通道(3‑1)，水泵(17)分别通过导管与下冷却通道(7‑1‑1)和上冷却通道(3‑1)连接，射频电源(1)通过导线与高电极(3)和底座板(7‑2)连接。