[发明专利]一种可控硅的生产工艺

摘要

本发明公开了一种可控硅的生产工艺，包括双面抛光片步骤、氧化步骤、光刻穿通步骤、进行穿通扩散步骤、光刻阴极步骤、阴极扩散步骤、光刻台面槽步骤、化学腐蚀台面槽步骤、光刻阴极门极槽步骤、化学腐蚀阴极门极槽步骤、玻璃钝化步骤、光刻引线孔步骤、正面蒸铝步骤、铝反刻步骤、铝合金步骤、背面喷砂步骤、背面金属化步骤、芯片测试步骤、划片步骤和芯片包装步骤，其特征在于：所述进行穿通扩散步骤和光刻阴极步骤之间增加了短基区扩散步骤，所述短基区扩散步骤包括镓预淀积步骤和镓再分布步骤。优点是：提高了可控硅的可靠性和适用性。

主权项

一种可控硅的生产工艺，包括双面抛光片步骤、氧化步骤、光刻穿通步骤、进行穿通扩散步骤、光刻阴极步骤、阴极扩散步骤、光刻台面槽步骤、化学腐蚀台面槽步骤、光刻阴极门极槽步骤、化学腐蚀阴极门极槽步骤、玻璃钝化步骤、光刻引线孔步骤、正面蒸铝步骤、铝反刻步骤、铝合金步骤、背面喷砂步骤、背面金属化步骤、芯片测试步骤、划片步骤和芯片包装步骤，其特征在于：所述进行穿通扩散步骤和光刻阴极步骤之间增加了短基区扩散步骤，所述短基区扩散步骤包括镓预淀积步骤和镓再分布步骤，所述镓预淀积步骤为：将进行腐蚀槽后的可控硅片置于高温扩散炉内，用三氧化二镓作为镓源进行开管镓扩散，扩散的温度为T=1200℃‑1220℃，扩散时间t=180min‑280min，扩散时通入氮气为3‑4L/min，在通入氮气的同时通入氢气，氢气先通入盛有去离子水的密封容器内，然后穿过去离子水进入到高温扩散炉内，进入到高温扩散炉的速度以去离子水100‑150个气泡/min为准，镓扩散完成后，硅片表面形成一层镓扩散区，扩散浓度为R□=60‑80Ω/□，结深Xj=15‑20μm，所述镓再分布步骤为：将预扩散好的硅片置于高温扩散炉内进行扩散，镓扩散至可控硅片内部形成短基区，扩散温度T=1250℃‑1260℃，扩散时间t=8h‑14h，扩散时通入氮气为3‑4L/min，镓扩散完成后，形成了表面浓度R□=80‑150Ω/□、结深Xj=33‑40μm的短基区。