[发明专利]一种改进的可控硅结构及其生产工艺有效
| 申请号： | 201210248864.6 | 申请日： | 2012-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN102790083A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 耿开远;周建;朱法扬 | 申请（专利权）人： | 启东吉莱电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/06;H01L21/332 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 卢海洋 |
| 地址： | 226200 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改进的可控硅结构，包括台面槽、穿通环、长基区、正面短基区、背面短基区、阴极区和门极区，其特征在于：阴极区和门极区之间开有阴极门极间槽，阴极门极间槽内填充有玻璃粉。生产上述可控硅结构的生产工艺，包括双面抛光片步骤、氧化步骤、光刻穿通、穿通扩散、短基区扩散、光刻阴极、阴极扩散、光刻台面槽、化学腐蚀台面槽、光刻引线孔、正面蒸铝、铝反刻、铝合金、背面喷砂、背面金属化、芯片测试、划片包装步骤，在化学腐蚀台面槽和光刻引线步骤之间增加了光刻阴极门极间槽步骤、化学腐蚀阴极门极间槽步骤和玻璃钝化步骤。本发明的优点是：耐压高，漏电低，也不存在反型条件和表面烧毁现象，大大提高了可控硅的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改进 可控硅 结构 及其 生产工艺 | ||
【主权项】：
一种改进的可控硅结构，包括台面槽、穿通环、长基区、正面短基区、背面短基区、阴极区和门极区，所述穿通环设于长基区的四周，其特征在于：所述阴极区和门极区之间开有阴极门极间槽，所述阴极门极间槽内填充有玻璃粉。
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