[发明专利]掺铬钨酸钾镁钪可调谐激光晶体及其制备方法

摘要

本发明提供掺铬钨酸钾镁钪可调谐激光晶体及其制备方法。该晶体属于三方晶系，空间群为，晶胞参数为a=9.493?，c= 24.545?，V=1915.68?³，Z=6，D_c=4.412 g/cm³。该晶体可采用助熔剂法生长，以60-80at% K₂W₂O₇为助熔剂，降温速率为1-5℃/天，转速为5-30转/分钟，生长出了高质量、较大尺寸的Cr³⁺:KMgSc(WO₄)₃晶体，其可调谐范围在710~1300nm之间，该晶体可望成为一种新的可调谐激光晶体，并获得实际应用。

主权项

1.掺铬钨酸钾镁钪可调谐激光晶体，其特征在于：该晶体的分子式为Cr³⁺:KMgSc(WO₄)₃，属于三方晶系，具有空间群结构，晶胞参数为a=9.493，c=24.545，V=1915.68³，Z=6，D_c=4.412g/cm³，可产生可调谐激光。