[发明专利]沟槽的填充方法有效
| 申请号： | 201210249377.1 | 申请日： | 2012-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN103035515A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 成鑫华;罗啸;钱志刚;袁苑 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽的填充方法，是在半导体器件制造过程中，采用两种应力相反的第一氧化硅薄膜和第二氧化硅薄膜在沟槽中循环淀积及回刻将沟槽填充完成。两种应力相反的氧化硅薄膜解决了不同氧化膜之间的应力匹配问题，同时满足大开口及深沟槽的填充需求。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 填充 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽的填充方法，其特征在于，包含如下工艺步骤：第1步，在刻蚀好沟槽的器件表面淀积一层沟槽底部台阶覆盖性大于80％的氧化膜；第2步，淀积第一氧化硅薄膜；第3步，对第一氧化硅薄膜进行回刻；第4步，淀积第二氧化硅薄膜；第5步，对第二氧化硅薄膜进行回刻；第6步，再次淀积第一氧化硅薄膜；第7步，对第一氧化硅薄膜进行回刻，沟槽填充完成。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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