[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201210249451.X | 申请日： | 2012-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN102890960A | 公开（公告）日： | 2013-01-23 |
| 发明（设计）人： | 山木贵志 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413;G11C5/14 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 温旭;郝传鑫 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在一种半导体器件中，具有由控制信号激活和截止的低能耗模式的各存储模块属于存储块。控制信号的传输路径被设置为以使所述控制信号通过模块内部路径并行输入各存储块中，并且使所述控制信号通过模块内部路径从所述存储块的特定存储模块中输出至下级模块外部路径，所选择的存储块中的特定存储模块的存储容量比属于同一存储块的存储模块的存储容量大。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，所述半导体器件包括：设置在半导体基底上的多个存储模块，由控制信号控制各存储模块进入低能耗模式和退出低能耗模式，其中，所述存储模块属于存储块，其中，所述控制信号通过上级模块外部路径并行输入属于同一存储块的存储模块并且通过模块内部路径传输，其中，所述控制信号通过模块内部路径由所述存储模块中的特定存储模块输出并且输出至下级模块外部路径，并且其中，所述特定存储模块的存储容量比属于同一存储块的另一存储模块的存储容量大。
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