[发明专利]半导体发光装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201210249527.9 | 申请日： | 2012-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN103579469A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 邵世丰 | 申请（专利权）人： | 华夏光股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62;H01L33/64;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;鲍俊萍 |
| 地址： | 开曼群岛大开*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 一种半导体发光装置及其制造方法。该制造方法包括提供至少一发光二极管；形成一牺牲层于发光二极管周围；以一膏状物透过一图案化模版，形成至少一凹形基板，每一凹形基板包覆至少一发光二极管的部分表面；以及固化凹形基板。本发明的半导体发光装置中，以膏状物透过图案化模版形成散热凹形基板，可以缩减工艺时间及材料成本，而达到工艺简化及节省成本的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光装置的制造方法，其特征在于，包括：提供至少一发光二极管；形成一牺牲层于该至少一发光二极管周围；以一膏状物透过一图案化模版形成至少一凹形基板，每一该凹形基板包覆该至少一发光二极管的部分表面；以及固化该至少一凹形基板。
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