[发明专利]用于直接接合半导体结构的改善的接合表面

摘要

用于直接接合半导体结构的改善的接合表面。将第一半导体结构直接接合到第二半导体结构的方法包括以下步骤：在导电材料对导电材料直接接合工艺中将第一半导体结构的至少一个器件结构直接接合到第二半导体结构的至少一个器件结构。在一些实施方式中，在接合工艺之前，可使所述第一半导体结构的至少一个器件结构突出一距离，以超过所述第一半导体结构上的相邻的介电材料。在一些实施方式中，所述多个器件结构中的一个或更多个可包括从基础结构延伸的多个整体突起。使用这些方法来制造接合的半导体结构。

主权项

一种将第一半导体结构直接接合到第二半导体结构的方法，所述方法包括以下步骤：提供第一半导体结构，所述第一半导体结构包括：包含导电材料的至少一个器件结构，所述至少一个器件结构在所述第一半导体结构的接合表面处暴露，以及在所述第一半导体结构的所述接合表面处暴露的介电材料，所述介电材料与所述第一半导体结构的所述至少一个器件结构相邻布置，所述介电材料在所述第一半导体结构的所述接合表面处的暴露表面限定所述第一半导体结构的接合平面；使所述第一半导体结构的所述至少一个器件结构从所述第一半导体结构的所述接合平面突出一距离，以超过相邻的介电材料；提供第二半导体结构，所述第二半导体结构包括：包含导电材料的至少一个器件结构，所述至少一个器件结构在所述第二半导体结构的接合表面处暴露，以及在所述第二半导体结构的所述接合表面处暴露的介电材料，所述介电材料与所述第二半导体结构的所述至少一个器件结构相邻布置，所述介电材料在所述第二半导体结构的所述接合表面处的暴露表面限定所述第二半导体结构的接合平面；以及在导电材料对导电材料直接接合工艺中将所述第一半导体结构的所述至少一个器件结构直接接合到所述第二半导体结构的所述至少一个器件结构。