[发明专利]一种薄膜太阳能电池吸收层Cu(In,Ga)Se2薄膜的制备方法

摘要

本发明公开的是一种制备高质量薄膜太阳能电池吸收层Cu(In，Ga)Se2薄膜的新方法。采用离子束溅射沉积法，高纯度的Cu、In、Se和CuxGa1-x合金作为溅射靶材，通过精确控制离子束溅射参数，先后溅射元素或合金靶材制备前躯体薄膜叠层或周期叠层薄膜，在同一真空环境下，高温原位热处理制备所述Cu(In，Ga)Se2薄膜。本发明提供薄膜太阳能电池吸收层Cu(In，Ga)Se2薄膜制备的方法，是一种掺杂工艺优化、操作简单和提高原材料利用率的制备方法，实现在CuInSe2薄膜基础上掺杂Ga元素，并且能够有效控制Ga元素径向分布，制备的Cu(In，Ga)Se2薄膜结构与性能均满足高效率光伏器件的性能要求，为太阳能电池的开发利用开辟了新的途径。

主权项

一种薄膜太阳能电池吸收层Cu(In，Ga)Se2薄膜的制备方法，其特征在于，采用离子束溅射沉积法，在同一真空环境下，高温原位热处理离子束溅射前躯体薄膜叠层或周期叠层直接制备所述Cu(In，Ga)Se2薄膜。