[发明专利]一种半导体电热膜制备方法

摘要

一种半导体电热膜的制备方法，选用硼硅玻璃管、石英玻璃管或陶瓷管为基材，所述基材形状为管状、U型、平面或曲面；以水合四氯化锡，四氯化钛，三氯化锑，三氯化钛和无水乙醇为基本材料，经恒温搅拌均匀即得源溶液；所述基材通过机械联动装置送至密闭的加热腔体内，温度控制在450-700℃，通过喷嘴将源溶液雾化并喷至基材表面，雾化溶液与基材表面发生化学与物理双重反应，且主要产物以化学键结合方式于所述基材表面形成稳定的金红石结构；将所述加热腔体内的基材升温至600-800℃，保持3-5小时，然后将其取出自然冷却即可。所制备的半导体导电膜耐酸碱，结构稳定，电阻稳定，透光率高，应用范围广泛。

主权项

一种半导体电热膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(a)基材的清洗：将基材置超声波清洗器中，用蒸馏水将所述基材表面清洗干净，然后置烤箱烘干待用；(b)源溶液的配制，其组分含量按以下重量百分比配制：水合四氯化锡(SnCl4.5H2O)10‑35，四氯化钛(TiCl4)5‑10，三氯化锑(SbCl3)0.2‑1.0，三氯化钛(TiCl3)4‑10，无水乙醇44‑80.8；上述材料混合溶液经恒温搅拌均匀即得源溶液；(c)喷镀：将所述基材通过机械联动装置送至密闭的加热腔体内，温度控制在450‑700℃，通过喷嘴将源溶液雾化并喷至加热腔体内的所述基材表面，且发生化学与物理双重反应，产物结合在所述基材表面；(d)退火：将所述加热腔体内的基材升温至600‑800℃，保持3‑5小时，然后将其取出自然冷却即可；(e)电极烧结：将所述基材镀膜面的两端均匀涂上银电极浆料，至保温炉内，在1‑2小时内缓慢从25℃升至600℃，即烧结制成电极。