[发明专利]用于对背面湿法腐蚀后的晶片的正面进行光刻方法有效
| 申请号： | 201210250473.8 | 申请日： | 2012-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN103576462A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 芮强;张硕;王根毅;邓小社 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/683 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 唐立;李家麟 |
| 地址： | 214028 中国无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于对背面湿法腐蚀后的晶片的正面进行光刻方法，属于半导体制造的光刻技术领域。该光刻方法包括步骤：提供背面湿法腐蚀后的晶片；在所述晶片的背面上贴膜；将所述晶片的背面相向地置于光刻机的载片台上固定；以及在所述晶圆的正面上完成正面光刻。本发明的光刻方法简单、成本低，并且能有效提高该晶片的正面光刻的精确度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 背面 湿法 腐蚀 晶片 正面 进行 光刻 方法 | ||
【主权项】：
一种用于对背面湿法腐蚀后的晶片的正面进行光刻方法，其特征在于，包括步骤：提供背面湿法腐蚀后的晶片；在所述晶片的背面上贴膜；将所述晶片的背面相向地置于光刻机的载片台上固定；以及在所述晶圆的正面上完成正面光刻。
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