[发明专利]用于制备阳极短路的场阑绝缘栅双极晶体管的方法

摘要

一种用于制备阳极-短路的场阑绝缘栅双极晶体管（IGBT）的方法，包含选择性地制备导电类型相反的第一和第二半导体植入区。第二导电类型的场阑层生长在衬底上方或植入到衬底中。外延层可以生长在衬底上或场阑层上。在外延层中，制备一个或多个绝缘栅双极晶体管器件元。

主权项

一种用于制备阳极短路的场阑绝缘栅双极晶体管的方法，其特征在于，该方法包含： a、在半导体衬底的顶面中，选择性地构成第一导电类型的第一半导体区，其中第一导电类型与衬底的导电类型相反；b、在衬底的顶面上生长一个第一导电类型的场阑层，其中场阑层的电荷载流子浓度低于第一半导体区；c、在场阑层上方，生长一个第一导电类型的外延层，其中外延层的电荷载流子浓度低于场阑层；d、在外延层中，制备一个或多个绝缘栅双极晶体管器件元；e、将衬底背面减薄至所需厚度，并且裸露出第一半导体区；f、进行无掩膜植入，制备第二导电类型的植入区，第二导电类型与衬底背面中的外延层和场阑层的导电类型相反；以及g、蒸发金属到衬底背面上。