[发明专利]深沟槽填充方法有效

专利信息
申请号: 201210251945.1 申请日: 2012-07-20
公开(公告)号: CN103579073A 公开(公告)日: 2014-02-12
发明(设计)人: 王雷;李伟峰 申请(专利权)人: 上海华虹NEC电子有限公司
主分类号: H01L21/762 分类号: H01L21/762
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 丁纪铁
地址: 201206 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种深沟槽填充方法,包括步骤:在衬底上形成深沟槽;对衬底表面进行表面预处理;对衬底进行加热处理;在衬底表面喷吐纯水进行预浸润;在衬底表面形成第一层光刻胶;对第一层光刻胶进行热回流。本发明通过在衬底表面涂胶后,对光刻胶软烤之前,增加一个对光刻胶进行热回流的工艺,由于热回流时光刻胶中溶剂成分较多,所以光刻胶的流动性较好,通过加热能使光刻胶产生回流,从而能够增加深沟槽的顶部边角处的光刻胶的厚度,能加强对沟槽顶部边角处的保护;能够在通过两次光刻刻蚀不同深度的沟槽工艺中对深沟槽进行保护,防止在深沟槽的顶部形成缺陷,能提高器件的电性能。
搜索关键词: 深沟 填充 方法
【主权项】:
一种深沟槽填充方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤一、采用光刻刻蚀工艺在衬底上形成深沟槽,所述深沟槽的关键尺寸大于0.8微米;步骤二、使用水或有机溶剂对形成有所述深沟槽的衬底表面进行表面预处理;步骤三、对所述衬底进行加热处理,用于去除所述衬底上的水或有机溶剂;步骤四、在所述衬底表面喷吐纯水进行预浸润;步骤五、在所述衬底表面喷吐光刻胶、并进行旋转涂胶在所述衬底表面形成第一层光刻胶;步骤六、对所述第一层光刻胶进行热回流,使所述深沟槽的顶部边角处的第一层光刻胶的厚度增加。
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