[发明专利]深沟槽填充方法有效
申请号: | 201210251945.1 | 申请日: | 2012-07-20 |
公开(公告)号: | CN103579073A | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | 王雷;李伟峰 | 申请(专利权)人: | 上海华虹NEC电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/762 | 分类号: | H01L21/762 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 丁纪铁 |
地址: | 201206 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种深沟槽填充方法,包括步骤:在衬底上形成深沟槽;对衬底表面进行表面预处理;对衬底进行加热处理;在衬底表面喷吐纯水进行预浸润;在衬底表面形成第一层光刻胶;对第一层光刻胶进行热回流。本发明通过在衬底表面涂胶后,对光刻胶软烤之前,增加一个对光刻胶进行热回流的工艺,由于热回流时光刻胶中溶剂成分较多,所以光刻胶的流动性较好,通过加热能使光刻胶产生回流,从而能够增加深沟槽的顶部边角处的光刻胶的厚度,能加强对沟槽顶部边角处的保护;能够在通过两次光刻刻蚀不同深度的沟槽工艺中对深沟槽进行保护,防止在深沟槽的顶部形成缺陷,能提高器件的电性能。 | ||
搜索关键词: | 深沟 填充 方法 | ||
【主权项】:
一种深沟槽填充方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤一、采用光刻刻蚀工艺在衬底上形成深沟槽,所述深沟槽的关键尺寸大于0.8微米;步骤二、使用水或有机溶剂对形成有所述深沟槽的衬底表面进行表面预处理;步骤三、对所述衬底进行加热处理,用于去除所述衬底上的水或有机溶剂;步骤四、在所述衬底表面喷吐纯水进行预浸润;步骤五、在所述衬底表面喷吐光刻胶、并进行旋转涂胶在所述衬底表面形成第一层光刻胶;步骤六、对所述第一层光刻胶进行热回流,使所述深沟槽的顶部边角处的第一层光刻胶的厚度增加。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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