[发明专利]一种碲化镉薄膜电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201210252117.X 申请日: 2012-07-19
公开(公告)号: CN102779864A 公开(公告)日: 2012-11-14
发明(设计)人: 裴艳丽;梁军;裴宇波;汤美茹;梁湘平 申请(专利权)人: 中山大学
主分类号: H01L31/0352 分类号: H01L31/0352;H01L31/18
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人: 陈卫
地址: 510275 *** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种优化性能的碲化镉薄膜电池及其制备方法,其中包括有:衬底及外延叠层,外延叠层由下往上依次为导电层、窗口层、吸光层、背阻挡层与背电极;窗口层为织构化硫化镉薄膜层,吸光层为碲化镉薄膜层,背阻挡层为碲化锌/掺铜碲化锌复合层或碲化汞/掺铜碲化汞复合薄膜层;背电极为石墨浆或石墨烯浆薄膜层或铜薄膜层、镍薄膜层、铜镍合金薄膜层、钼薄膜层中的一种或多种。本发明提出在窗口区进行织构化处理,减少透光区的光程,从而进一步提高光吸收能力,实现更好的陷光效果。
搜索关键词: 一种 碲化镉 薄膜 电池 及其 制备 方法
【主权项】:
一种碲化镉薄膜电池,其中包括衬底:其特征在于:所述衬底为玻璃或者聚酰亚胺聚合物薄膜,所述衬底上生长有外延叠层,外延叠层由下往上依次为导电层、窗口层、吸光层、背阻挡层与背电极;窗口层为织构化硫化镉薄膜层,所述吸光层为碲化镉薄膜层,所述背阻挡层为碲化锌/掺铜碲化锌复合薄膜层或碲化汞/掺铜碲化汞复合薄膜层;所述背电极为石墨浆或石墨烯浆薄膜层或铜薄膜层、镍薄膜层、铜镍合金薄膜层、钼薄膜层中的一种或多种。
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