[发明专利]一种碲化镉薄膜电池及其制备方法有效
申请号: | 201210252117.X | 申请日: | 2012-07-19 |
公开(公告)号: | CN102779864A | 公开(公告)日: | 2012-11-14 |
发明(设计)人: | 裴艳丽;梁军;裴宇波;汤美茹;梁湘平 | 申请(专利权)人: | 中山大学 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/18 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 陈卫 |
地址: | 510275 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种优化性能的碲化镉薄膜电池及其制备方法,其中包括有:衬底及外延叠层,外延叠层由下往上依次为导电层、窗口层、吸光层、背阻挡层与背电极;窗口层为织构化硫化镉薄膜层,吸光层为碲化镉薄膜层,背阻挡层为碲化锌/掺铜碲化锌复合层或碲化汞/掺铜碲化汞复合薄膜层;背电极为石墨浆或石墨烯浆薄膜层或铜薄膜层、镍薄膜层、铜镍合金薄膜层、钼薄膜层中的一种或多种。本发明提出在窗口区进行织构化处理,减少透光区的光程,从而进一步提高光吸收能力,实现更好的陷光效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 碲化镉 薄膜 电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种碲化镉薄膜电池,其中包括衬底:其特征在于:所述衬底为玻璃或者聚酰亚胺聚合物薄膜,所述衬底上生长有外延叠层,外延叠层由下往上依次为导电层、窗口层、吸光层、背阻挡层与背电极;窗口层为织构化硫化镉薄膜层,所述吸光层为碲化镉薄膜层,所述背阻挡层为碲化锌/掺铜碲化锌复合薄膜层或碲化汞/掺铜碲化汞复合薄膜层;所述背电极为石墨浆或石墨烯浆薄膜层或铜薄膜层、镍薄膜层、铜镍合金薄膜层、钼薄膜层中的一种或多种。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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