[发明专利]一种p型CuxSy半导体纳米晶、制备方法及其应用有效
| 申请号： | 201210252126.9 | 申请日： | 2012-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN102774871A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 钟海政;张腾;刘立格;邹炳锁;谢海燕 | 申请（专利权）人： | 北京理工大学 |
| 主分类号： | C01G3/12 | 分类号： | C01G3/12;B82Y40/00;H01L51/46 |
| 代理公司： | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人： | 杨志兵;李爱英 |
| 地址： | 100081 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种p型CuxSy半导体纳米晶、制备方法及其应用，属于纳米材料制备和应用领域。所述纳米晶CuxSy的x/y=1.8，形状为球形，粒径为6~12nm；所述方法包括制备铜源、制备硫源、将铜源注入到硫源中加热反应得到胶体溶液，通过清洗和离心沉降得到所述纳米晶；所述纳米晶的晶相单一、分散性良好、尺寸和形貌可控，在整个近红外光区都有较强的吸收，吸收峰在1100-1500nm；且具有良好的导电性，较高的载流子迁移率、良好耐高温性和稳定性。所述方法产率高，可进行大规模的生产。将所述纳米晶应用于薄膜太阳能电池器件中的空穴传输层，可以显著提高空穴传输层的传输能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cu sub 半导体 纳米 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
一种p型CuxSy半导体纳米晶，其特征在于：其中x/y=1.8，所述纳米晶为球形，粒径为6~12nm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京理工大学，未经北京理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210252126.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种铆钉出料导轨的分离装置
- 下一篇：一种色选机同步正反选的方法
- 一种Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>复相热障涂层材料
- 无铅[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>纳米管及其制备方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一种Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 复合膜及其制备方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 荧光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一种(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制备方法
- 荧光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合材料的制备方法
