[发明专利]一种绝缘体上二维薄膜材料的制备方法有效
| 申请号： | 201210252143.2 | 申请日： | 2012-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN103570001A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 解婧;张阳;罗巍;李超波;夏洋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及材料技术领域，具体涉及一种绝缘体上二维薄膜材料的制备方法。所述制备方法，包括如下步骤：（1）根据需求选择合适的绝缘衬底；（2）对绝缘衬底的表面和/或待转移至绝缘衬底的体材料的表面进行活化处理；（3）将绝缘衬底与体材料进行表面接触，施加外物理场使二维薄膜材料从体材料表面剥离下来，覆盖到绝缘衬底的表面。使用本发明制备的二维薄膜材料铺展均匀，并可避免多次转移以及中间层材料造成的缺陷以及环境污染等问题。同时，本发明与硅基器件大规模制造工艺通融，可使高性能二维薄膜材料器件的制造研发沿用大规模平面印刷工艺，工艺流程简单可控，重复性好，可用于自动化宏量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘体 二维 薄膜 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种绝缘体上二维薄膜材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）根据需求选择合适的绝缘衬底；（2）对所述绝缘衬底的表面和/或待转移至所述绝缘衬底的体材料的表面进行活化处理；（3）将所述绝缘衬底与所述体材料进行表面接触，施加外物理场使二维薄膜材料从所述体材料表面剥离下来，覆盖到所述绝缘衬底的表面。
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