[发明专利]半导体器件及其操作方法在审
| 申请号： | 201210252402.1 | 申请日： | 2012-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN102890965A | 公开（公告）日： | 2013-01-23 |
| 发明（设计）人： | 刘炳晟 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 郭放;俞波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括：包括多个存储器单元的单元串；包括锁存器和开关元件的页缓冲器，其中，开关元件耦接在锁存器与耦接到单元串的位线之间；以及页缓冲器控制器，所述页缓冲器控制器被配置成在编程操作的位线设定操作期间施加逐渐上升的导通电压到所述开关元件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：单元串，所述单元串包括多个存储器单元；页缓冲器，所述页缓冲器包括锁存器和开关元件，其中所述开关元件被耦接在所述锁存器与耦接到所述单元串的位线之间；页缓冲器控制器，所述页缓冲器控制器被配置成在编程操作的位线设定操作期间将逐步上升的导通电压施加到所述开关元件。
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