[发明专利]半导体激光器元件及其制造方法无效
| 申请号： | 201210252802.2 | 申请日： | 2012-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN102904156A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 本乡一泰;福元康司 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01S5/024 | 分类号： | H01S5/024 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 吴艳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在此公开一种半导体激光器元件，其包括：位于衬底上的激光器结构部，该激光器结构部构造成包括顺次具有n型半导体层、活性层和p型半导体层的半导体层叠结构、和位于所述p型半导体层的顶部上的p侧电极；设置在所述半导体层叠结构的两对立横向侧的一对谐振器边缘；和设置在所述激光器结构部的顶侧的、包括所述谐振器边缘的位置的区域中的、并由具有比周围气体更高热传导率的非金属材料制成的膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体激光器元件，包括：位于衬底上的激光器结构部，该激光器结构部构造成包括：顺次具有n型半导体层、活性层和p型半导体层的半导体层叠结构、和位于所述p型半导体层的顶部上的p侧电极；设置在所述半导体层叠结构的两对立横向侧的一对谐振器边缘；和设置在所述激光器结构部的顶侧的、包括所述谐振器边缘的位置的区域中的、并由具有比周围气体更高热传导率的非金属材料制成的膜。
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