[发明专利]一种显示和检测直拉硅片中空洞型缺陷的方法

摘要

本发明提供显示和检测直拉硅片中空洞型缺陷的方法，它利用多面体铜沉淀来显示空洞型缺陷。显示直拉硅片中空洞型缺陷的方法包括：将抛光硅片浸入硝酸铜溶液静置；将硅片在去离子水中漂洗，取出后晾干；将上述经过铜沾污并晾干后的硅片进行热处理；将热处理后的硅片快速冷却；将冷却后的硅片水平置于择优腐蚀液中腐蚀。本发明还提供检测直拉硅片中空洞型缺陷的方法，包括：按照上述方法制备硅片样品；直接用在光学显微镜或扫描电子显微镜观察硅片样品的抛光面。在上述显微镜下观察到的多面体铜沉淀即对应于空洞型缺陷。本发明的方法可在较短的时间内清晰地显示出直拉硅片中的空洞型缺陷，并可在通常环境下和采用常规的光学显微镜方便地观察，适合于工业生产中检测直拉硅片中的空洞型缺陷。

主权项

一种显示直拉硅片中空洞型缺陷的方法，其特征在于其包括以下步骤：1) 将抛光后的直拉硅片浸入硝酸铜溶液静置；2) 将静置后的直拉硅片在去离子水中漂洗，取出后晾干；3) 将上述晾干后的直拉硅片进行热处理；4) 将上述热处理后的直拉硅片快速冷却； 5) 将上述冷却后的直拉硅片水平置于择优腐蚀液中腐蚀，即可显示出直拉硅片中的空洞型缺陷。