[发明专利]耗尽型功率半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210253510.0 | 申请日： | 2012-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN102751332A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 叶俊;张邵华;李敏 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 310012*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种耗尽型功率半导体器件及其形成方法，所述器件包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的第一掺杂类型的外延层；形成于所述外延层内的第二掺杂类型的阱区，所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型相反，所述阱区的表面具有第一掺杂类型的反型层；依次位于所述外延层上的栅介质层和栅电极，所述阱区横向延伸至所述栅电极下方的距离为0.75×Xj+b，其中Xj为所述阱区的结深，-2μm≤b≤5μm。本发明工艺制程简单、成本低、阈值电压可控性好。 | ||
| 搜索关键词： | 耗尽 功率 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种耗尽型功率半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的第一掺杂类型的外延层；形成于所述外延层内的第二掺杂类型的阱区，所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型相反，所述阱区的表面具有第一掺杂类型的反型层；依次位于所述外延层上的栅介质层和栅电极，所述阱区横向延伸至所述栅电极下方的距离为0.75×Xj+b，其中Xj为所述阱区的结深，‑2μm≤b≤5μm。
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