[发明专利]无掺杂室温铁磁性自旋零禁带半导体薄膜及制备方法有效
| 申请号： | 201210253693.6 | 申请日： | 2012-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN102747349A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 苏海林;汤凤林;吴玉程;黄荣俊 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | C23C20/08 | 分类号： | C23C20/08 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人： | 何梅生 |
| 地址： | 230009 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种无掺杂室温铁磁性自旋零禁带半导体薄膜及其制备方法，其特征是半导体薄膜的微结构为颗粒膜结构，颗粒膜结构是由尺寸介于17-35nm的体心正交PbPdO2纳米晶粒构成。本发明薄膜具有室温铁磁性，其磁化强度随磁场增强在某一临界场会突然减小，其饱和磁化强度随温度上升而增大；本发明能够大幅提高自旋零禁带半导体的居里温度，使之在300K仍呈现铁磁性。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 室温 铁磁性 自旋 零禁带 半导体 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种无掺杂室温铁磁性自旋零禁带半导体薄膜，其特征是：所述半导体薄膜的微结构为颗粒膜结构，所述颗粒膜结构是由尺寸介于17‑35nm的体心正交PbPdO2纳米晶粒构成。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C20-00 通过固态覆层化合物抑或覆层形成化合物悬浮液分解且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C20-02 .镀金属材料
C23C20-06 .镀金属材料以外的无机材料
C23C20-08 ..镀化合物、混合物或固溶体，例如硼化物、碳化物、氮化物
C23C20-04 ..镀金属
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