[发明专利]开口的形成方法有效
| 申请号： | 201210253893.1 | 申请日： | 2012-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN103579083A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 邓浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种开口的形成方法，包括，提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成含碳介质层，且所述含碳介质层为低k材料或超低k材料；采用沉积的方法在所述含碳介质层上形成硬掩膜层，沉积时所述含碳介质层与硬掩膜层的接触处的碳被损耗；在所述硬掩膜层中形成开口图形，所述开口图形底部露出所述含碳介质层；采用含碳气体束离子轰击所述开口图形的侧壁和底部形成的夹角处，以对含碳介质层与硬掩膜层的接触处进行碳补充；对含碳介质层与硬掩膜层的接触处进行碳补充后，以所述形成开口图形的硬掩膜层为掩膜，对所述含碳介质层进行刻蚀形成开口。采用本发明的开口的形成的方法，提高后续形成的互连结构的电迁移性能、应力迁移性能。 | ||
| 搜索关键词： | 开口 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种开口的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成含碳介质层，且所述含碳介质层为低k材料或超低k材料；采用沉积的方法在所述含碳介质层上形成硬掩膜层，沉积时所述含碳介质层与硬掩膜层的接触处的碳被损耗；在所述硬掩膜层中形成开口图形，所述开口图形底部露出所述含碳介质层；采用含碳气体束离子轰击所述开口图形的侧壁和底部形成的夹角处，以对含碳介质层与硬掩膜层的接触处进行碳补充；对含碳介质层与硬掩膜层的接触处进行碳补充后，以所述形成开口图形的硬掩膜层为掩膜，对所述含碳介质层进行刻蚀形成开口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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