[发明专利]半导体层中的缺陷消除方法无效
| 申请号： | 201210254903.3 | 申请日： | 2012-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN102903630A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | I·拉杜;C·古德尔;C·维特左乌 | 申请（专利权）人： | SOITEC公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;周蕾 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体层中的缺陷消除方法，一种消除与将原子物种注入到被转移到受主衬底（2）上的半导体层（10）中相关的缺陷的方法，其中，半导体层（10）通过热传导率低于被转移半导体层（10）的热传导率的层（3，3’）而与受主衬底（2）绝热，所述方法的特征在于，包括：将选择的电磁辐射应用到半导体层（10），以便将半导体层（10）加热到低于所述层（10）的熔化温度的温度，而不导致受主衬底（2）的温度增加超过500℃。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 中的 缺陷 消除 方法 | ||
【主权项】：
一种消除与将原子物种注入到被转移到受主衬底（2）上的半导体层（10）中相关的缺陷的方法，其中，所述半导体层（10）通过热传导率低于被转移半导体层（10）的热传导率的层（3，3’）而与所述受主衬底（2）绝热，其特征在于，所述方法包括：将选择的电磁辐射应用到所述半导体层（10），以便将所述半导体层（10）加热到低于所述层（10）的熔化温度的温度，而不导致所述受主衬底（2）的温度增加超过500℃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
