[发明专利]一种带有防止金属扩散保护层的复合衬底有效
| 申请号： | 201210255792.8 | 申请日： | 2012-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN103579471A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 孙永健;张国义;童玉珍 | 申请（专利权）人： | 东莞市中镓半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62;H01L33/48 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 523500 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种带有防止金属扩散保护层的复合衬底，包括一熔点大于1000℃的导热导电层和位于该导热导电层上的GaN单晶层，至少在复合衬底的侧壁包裹有防止金属扩散的保护层。本发明的复合衬底既兼顾了GaN外延所需要的同质外延，提高了晶体质量，又可以直接制备垂直结构LED，且大幅降低了成本，同时有效避免了金属材料在MOCVD高温生长时的扩散挥发给实验设备带来的污染问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 带有 防止 金属 扩散 保护层 复合 衬底 | ||
【主权项】：
一种用于GaN生长的复合衬底，包括一导热导电层和位于该导热导电层上的GaN单晶层，其中所述导热导电层的熔点大于1000℃，其特征在于，至少在复合衬底的侧壁包裹有防止金属扩散的保护层，所述保护层的材料为非金属，不具有挥发性，且在1100℃以内不分解也不熔化。
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