[发明专利]NAND快闪存储器单元、NAND快闪存储器阵列及其操作方法有效
| 申请号： | 201210256041.8 | 申请日： | 2012-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN103226973A | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 林纬;白田理一郎;毛妮娜;郭才豪 | 申请（专利权）人： | 群联电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种NAND快闪存储器单元、NAND快闪存储器阵列及其操作方法，其包括包括串联连接的多个存储单元的存储单元串、耦接至存储单元串的两端的源极/漏极区、耦接于存储单元串的一端与源极/漏极区之间的至少一个选择晶体管以及耦接于所述至少一个选择晶体管与源极/漏极区之间的至少一个擦除晶体管、存储单元、至少一个选择晶体管与至少一个擦除晶体管中的每一个都具有电荷捕捉层。 | ||
| 搜索关键词： | nand 闪存 单元 阵列 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种NAND快闪存储器单元，其特征在于，包括：包括串联连接的多个存储单元的存储单元串；两源极/漏极区，耦接至该存储单元串的两端；至少一选择晶体管，耦接于该存储单元串的一端与该些源极/漏极区中的一者之间，用以选择该存储单元串；以及至少一擦除晶体管，耦接于该至少一选择晶体管与该些源极/漏极区中的一者之间，用以减少该至少一选择晶体管的起始电压偏移。
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