[发明专利]晶体硅激光辅助铝硼共掺杂及电极制备方法

摘要

一种晶体硅激光辅助铝硼共掺杂及电极制备方法，首先采用磁控溅射法、电子束蒸发法、或丝网印刷法等技术方法在晶体硅表面制备一层铝硼膜层，其中硼含量为0.001wt%-5wt%，优选0.05wt%-1wt%；然后激光照射铝硼膜层使之熔化，同时其底下的硅也随之熔化，形成铝、硼、硅共熔体。当激光被切断电源或移开之后，该区域迅速冷却，硅从共熔体中析出开始结晶生长，部分铝原子和硼原子留在该结晶硅中，从而实现晶体硅的铝硼共掺杂，剩余的铝和硼将在该区域的表面凝固成膜，并与其他未受激光照射的铝硼膜层相互接触形成电极。本方法与现有文献报道的方法相比具有稳定性高、工艺简单的特点。

主权项

一种晶体硅激光辅助铝硼共掺杂及电极制备方法，其特征是：在晶体硅表面制备铝硼膜层，该铝硼膜层提供掺杂铝源和硼源，铝硼膜层被激光照射，所照射的区域被熔化并形成铝、硼、硅共熔体；激光被切断电源或移开后，该共熔体迅速冷却，硅随即析出开始结晶生长，部分铝原子和硼原子留在该结晶硅中，实现晶体硅的铝硼共掺杂，剩余的铝和硼将在该区域的表面凝固成膜，并与其它未受激光照射的铝硼膜层共同形成电极。