[发明专利]半导体封装件及其制法有效
| 申请号： | 201210256347.3 | 申请日： | 2012-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN103545277A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 李孟宗;张江城;邱世冠 | 申请（专利权）人： | 矽品精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体封装件及其制法，该半导体封装件的制法，形成结合单元于一承载件的各该置晶区上，以令各该结合单元对应位于各该置晶区上，再设置半导体组件于该结合单元上，接着形成绝缘层于该承载件与该些半导体组件上，再形成线路层于该绝缘层上以电性连接该半导体组件。借由该结合单元仅对应形成于各该置晶区上，而非整面布设于该承载件上，所以于温度变化时，该结合单元不会产生伸缩，因而可避免该半导体组件产生偏移。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 及其 制法 | ||
【主权项】：
一种半导体封装件，其包括：半导体组件，其具有相对的主动面与非主动面及相接该主动面与非主动面的侧面，且该主动面上具有多个电极垫；绝缘层，其形成于该半导体组件的主动面与侧面上，并令该些电极垫外露于该绝缘层，又该绝缘层的材质为二氧化硅或氮化硅；以及线路层，其形成于该绝缘层上且电性连接该些电极垫。
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