[发明专利]一种有机薄膜晶体管阵列基板制作方法

摘要

本发明公开了一种有机薄膜晶体管阵列基板制作方法，包括：在基板上依次制备栅线图形、栅绝缘层、像素电极层、源漏金属薄膜、有机半导体层和刻蚀阻挡层，其中，形成栅绝缘层之后，在其上旋涂光刻胶，通过对光刻胶曝光显影并刻蚀掉栅线PAD区域的栅绝缘层之后，保留晶体管沟道区域的光刻胶，再形成像素电极层和源漏金属薄膜，后再剥离掉光刻胶。本发明通过在刻蚀栅绝缘层以露出栅线PAD区域的过程中，通过部分保留光刻胶用以占位作为有机薄膜晶体管的沟道区域，避免了刻蚀源漏金属薄膜的过程中破坏栅绝缘层表面，能保证栅绝缘层表面质量，使形成有源层的有机半导体在栅绝缘层表面上能够很好的排列，保证沟道区的质量。

主权项

一种有机薄膜晶体管阵列基板制作方法，其特征在于，包括以下过程：S1：在基板上方制备栅线图形；S2：在过程S1所形成的基板上形成栅绝缘层，并在栅绝缘层上旋涂一层光刻胶；通过对光刻胶曝光显影，后刻蚀掉栅线PAD区域的栅绝缘层；以及保留用于形成有机薄膜晶体管沟道区域的光刻胶；S3：在过程S2所形成的基板上依次形成像素电极层和源漏金属薄膜，之后剥离掉过程S2中所保留的光刻胶及其上方的像素电极层和源漏金属薄膜；S4：在过程S3所形成的基板上依次形成有机半导体层和刻蚀阻挡层；S5：对过程S4所形成的基板进行多次刻蚀处理，在基板上形成有机半导体层图形区域D，数据线及数据线PAD图形区域C以及像素电极图形区域B。