[发明专利]利用等离子体控制特征尺寸的半导体结构及其制造方法

摘要

本发明涉及一种利用等离子体控制特征尺寸的半导体结构及其制造方法，在进行浅沟槽隔离的制程时，通过调整刻蚀第一沟槽时使用的等离子体，能够在第一沟槽的侧壁上形成有一个钝化层，因此，在硬掩模层刻蚀后的宽度不变时，利用了钝化层在硬掩模层两侧厚度的增加来调整ACT特征尺寸；从而对后续刻蚀形成的第二沟槽的宽度距离（即ADI特征尺寸）进行调整，以使半导体结构的成品符合晶圆电性测试（WAT）的相关要求。本发明中不需要设计新的光罩及使用光学邻近修正方法（OPC），就可以实现ACT特征尺寸的调整，节省了大量的时间和金钱。

主权项

一种利用等离子体控制特征尺寸的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构，由下至上依次包含有：硅的衬底（10），在所述衬底（10）上形成的若干层氧化薄膜，形成在所述氧化薄膜上的氮化硅的硬掩模层（30），形成在所述硬掩模层（30）上的底部抗反射层（40），以及形成在所述底部抗反射层（40）上并具有一定光罩图案的光刻胶（50）；所述半导体结构还包含利用等离子体在没有覆盖所述光刻胶（50）的位置，刻蚀所述底部抗反射层（40）及所述硬掩模层（30）后形成的第一沟槽（61），以及覆盖在所述第一沟槽（61）的侧壁上且具有设定厚度的钝化层（70）；原先将刻蚀第一沟槽（61）后所述硬掩模层（30）剩余的宽度距离设定为ACT特征尺寸，在其基础上增加了所述钝化层（70）覆盖在硬掩模层（30）两侧的设定厚度来进行调整，以使该ACT特征尺寸得到增加。