[发明专利]带有ZnO微米图形阵列的LED管芯及其制备方法有效
| 申请号： | 201210257595.X | 申请日： | 2012-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN102751417A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 吴拥中;尹正茂;郝霄鹏;刘晓燕;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 宁钦亮 |
| 地址： | 250100 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种带有ZnO微米图形阵列的LED管芯及其制备方法，该LED管芯是在LED管芯的发光面上溅射有一层的ZnO种子层，ZnO种子层上生长有ZnO微米图形阵列，其制备包括以下步骤：（1）生长LED外延片，制作完整结构的LED管芯；（2）在LED发光面溅射一层ZnO种子层；（3）在LED表面制作光刻胶微米周期图形；（4）以光刻胶微米周期图形为模板生长ZnO微米图形阵列；（5）用去胶液去除光刻胶，即得到ZnO微米图形阵列的LED。本发明不仅可以更高比例的提取发射光，也保证了发光二极管整个发光表面出光的均匀性，制作简单，成本低，不会对LED管芯的电学性能造成破坏，能够提高平板GaN基LED的发光效率约40%。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 zno 微米 图形 阵列 led 管芯 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种带有ZnO微米图形阵列的LED管芯，其特征是：在LED管芯的发光面上溅射有一层厚度为20nm‑400nm的ZnO种子层，ZnO种子层上生长有ZnO微米图形阵列。
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