[发明专利]一种CMOS图像传感器及其制备方法

摘要

本发明涉及一种CMOS图像传感器及其制备方法，所述传感器包括：半导体衬底以及位于所述衬底上的外延层；栅极结构，位于所述外延层上；浅沟槽隔离、光电二极管区；第一浮置扩散区和第二浮置扩散区，位于所述浅沟槽隔离两侧；自对准硅化物阻挡层，至少位于所述第二浮置扩散区上方；层间介质层，形成于所述栅极结构和外延层上方；第一接触塞和第二接触塞，位于所述层间介质层中，其中，第一接触塞位于第一浮置扩散区上方并与所述第一浮置扩散区电连接，第二接触塞位于与所述第二浮置扩散区对应的所述自对准硅化物阻挡层上方，所述第一浮置扩散区通过第一接触塞、导线、第二接触塞与自对准硅化物阻挡层形成的电容相连，用于增加第一浮置扩散区电容量。

主权项

一种CMOS图像传感器，包括：半导体衬底以及位于所述衬底上的外延层；栅极结构，位于所述外延层上；浅沟槽隔离、光电二极管区，形成于所述外延层中；第一浮置扩散区和第二浮置扩散区，位于所述浅沟槽隔离两侧；自对准硅化物阻挡层，至少位于所述第二浮置扩散区上方；层间介质层，形成于所述栅极结构和外延层上方；第一接触塞和第二接触塞，位于所述层间介质层中，其中，所述第一接触塞位于第一浮置扩散区上方并与所述第一浮置扩散区电连接，所述第二接触塞位于与所述第二浮置扩散区对应的所述自对准硅化物阻挡层上方；导线，位于所述层间介质层上，并与所述第一接触塞和所述第二接触塞电连接；所述第一浮置扩散区通过第一接触塞、导线、第二接触塞与自对准硅化物阻挡层形成的电容相连，用于增加第一浮置扩散区电容量。