[发明专利]降低半导体晶片表面电弧缺陷的方法在审
| 申请号： | 201210258707.3 | 申请日： | 2012-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN103578918A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 陈亚威 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种降低半导体晶片表面电弧缺陷的方法，该方法至少包括：刻蚀该半导体晶片元件，以形成通孔；在所述半导体晶片以及通孔中形成导电层；通过使用研浆的化学机械研磨法研磨所述导电层；采用去离子水对所述半导体进行清洗。通过去离子水对CMP后的半导体进行清洗，可以减少或避免电弧缺陷，同时减少因为残留研浆所造成的颗粒污染，避免元件制程失败，提高良率。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 半导体 晶片 表面 电弧 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
一种降低半导体晶片表面电弧缺陷的方法，其特征在于，该方法至少包括：刻蚀该半导体晶片，以形成通孔；在所述半导体晶片以及通孔中形成导电层；通过使用研浆的化学机械研磨法研磨所述导电层；采用去离子水对所述半导体晶片进行清洗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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